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在IC芯片制造领域中，等离㊣子体处理技术已是一种不可替代的成熟工△艺，不论在芯片源离子的注入，还是晶元⊙的镀膜，亦或是我们的＠低温等离子体表面处理设备所〒能达到的：在晶＠ 元表面去除氧化膜、有机物、去掩膜等超净化处理及表面活化提高晶元表面浸润性。

随着智能手机的飞速发∞展，人们对手机摄像头像素的要求越来越高，如今用传统的CSP封装工艺制造的手机摄像模组像素已达不到人们的需求，而用COB/COG/COF封装工艺制造的手机摄像模组已被大量的运用到了现在的千万像素的手机中，但其制造的良率因其工艺特性往往只有85%左右，而造成的手机良率不高的原因主要在于离心清洗↓机和超声波清洗做不到高洁净度的清洗holder及Pad表面∞污染物，致使holder与IR粘接力不高及bonding不良◆的问题，经等离子体处理后能超洁净的去除holder上的有机污染物和活化基材，使其与IR粘接力能提高2~3倍，也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面，极大的提升了banding的一次成功率。